T/CES 085-2021
压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验规范

Test specification of high temperature reverse bias for press pack insulated-gate bipolar transistor modules

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标准号

T/CES 085-2021

发布日期

2021年09月28日

实施日期

2021年11月25日

废止日期

无

中国标准分类号

C397

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

中国团体标准

适用范围

本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。 本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。 本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下： 前言　 1 范围　 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 符号和缩略语 5 试验电路 6 设备要求 7 试验条件 8 试验步骤 9 失效判据 10 试验时间认定 11 试验报告

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