找不到引用T/CES 085-2021 压接型绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块高温反偏试验规范 的标准
特别有意义的是,避免了大电流IGBT模块内部大量的电极引出线,提高了可靠性和减小了引线电感,缺点是芯片面积利用率下降。所以这种平板压接结构的高压大电流IGBT模块也可望成为高功率高电压变流器的优选功率器件。...
12月26日,记者从中车时代电气获悉,由公司牵头完成的“3600A/4500V压接型IGBT及其关键技术”项目,日前通过中国电子学会组织的成果鉴定。通过该项目的实施,公司研制出了世界功率等级最高的压接绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。据悉,这也是我国首次实现压接型IGBT技术的零突破。图片来源于网络 压接型IGBT是柔性直流输电领域的核心器件。外形上看,器件与晶闸管等器件相似。...
3、IGBT IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。...
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