ASTM E1250-15(2020)
电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法

Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic Devices

ASTM E1250-15(2020) 发布历史

ASTM E1250-15(2020)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2020-07-01。

ASTM E1250-15(2020)在国际标准分类中归属于: 31.020 电子元器件综合。

ASTM E1250-15(2020) 发布之时，引用了标准

• ASTM E1249 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践*， 2021-02-01 更新
• ASTM E170 有关辐射测量和剂量测定的标准术语
• ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践

* 在 ASTM E1250-15(2020) 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

ASTM E1250-15(2020)的历代版本如下：

• 2020年 ASTM E1250-15(2020) 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法
• 2015年 ASTM E1250-15 评定硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能伽马成分的电离箱应用的标准试验方法
• 2010年 ASTM E1250-10 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法
• 1988年 ASTM E1250-88(2005) 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法
• 1988年 ASTM E1250-88(2000) 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法

1.1 Co-60辐照器光子能谱中的低能成分导致硅电子器件辐射硬度测试中吸收剂量增强效应。这些低能量成分可能会导致确定特定被测设备吸收剂量时出现错误。该方法涵盖使用专门的电离室来确定此类效应的相对重要性的品质因数的程序。它还提供了组装该室的设计和说明。

1.2 本方法适用于 Co-60 辐射场中的测量，暴露速率范围为 7 × 10 -6 至 3 × 10−2 C kg−1 s−1（约 100 R/h 至 100 R/s） 。有关将该方法应用于曝光率 >100 R/s 的辐射场的指导，请参阅附录 X1。注 1——有关暴露及其单位的定义，请参阅术语 E170。

1.3 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。

1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。

1.5 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。

标准号

ASTM E1250-15(2020)

发布

2020年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM E1250-15(2020)

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E170 ASTM E668

推荐