GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
GBT6219-1998, GB6219-1998
- 标准号
- GB/T 6219-1998
- 别名
- GBT6219-1998
GB6219-1998 - 发布
- 1998年
- 采用标准
- IEC 747-8-1:1987 IDT
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 6219-1998
- 被代替标准
- GB/T 6219-1986
- 本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的...
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