GB/T 6219-1998
半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

GB/T 6219-1998 发布历史

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 6219-1998由国家质检总局 CN-GB 发布于 1998-11-17，并于 1999-06-01 实施。

GB/T 6219-1998 在中国标准分类中归属于: L42 半导体三极管，在国际标准分类中归属于: 31.080.30 三极管。

GB/T 6219-1998的历代版本如下：

• 1998年11月17日 GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分;场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

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标准号

GB/T 6219-1998

发布日期

1998年11月17日

实施日期

1999年06月01日

废止日期

无

中国标准分类号

L42

国际标准分类号

31.080.30

发布单位

CN-GB

被代替标准

GB/T 6219-1986

适用范围

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10：1984）和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》（IEC 747.11：1985）有关的一系列空白详细规范中的一个。

GB/T 6219-1998系列标准