研究表明,此方法适用于多种聚合物OFET,具有较好的普适性。有关结果发表在Adv. Mater., 2010, 22, 1273-1277上。 顶栅结构器件是改善器件稳定性的途径之一,研究人员开发了新的顶栅结构器件制备技术,主要包括自支撑(self-supporting)绝缘层的制备,以及自支撑绝缘层与半导体层之间自发的干法层合(图2)。...
作为新一代功率半导体材料,氧化镓的p型掺杂目前尚未解决,氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题,因此急需设计新结构氧化镓垂直型晶体管。 研究人员分别采用氧气氛围退火和氮离子注入工艺制备了器件的电流阻挡层,并配合栅槽刻蚀工艺研制出了不需P型掺杂技术的氧化镓垂直沟槽场效应晶体管结构。...
除此之外,研究人员还尝试了引入碳纳米管替代传统金属作为栅极材料,结果显示该材料比传统金属栅具有更好的包覆性,可以有效提高器件性能。理论计算表明,研究人员所提出的鳍式场效应晶体管能够实现优异的抗短沟道效应。 ...
HEMT(高电子迁移率晶体管,High Electron Mobility Transistor),也被称为HFET(异质结场效应晶体管,heterostructure FET),是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。 IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是一种用于电力控制的器件。...
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