JEDEC JESD35-2-1996
测定薄电介质的维夫-水平试验（Wafer-Level）测试准则.JESD35的No.2附录

Test Criteria for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics Addendum No. 2 to JESD35

JEDEC JESD35-2-1996 发布历史

JEDEC JESD35-2-1996由(美国)固态技术协会,隶属EIA US-JEDEC 发布于 1996-02-01。

JEDEC JESD35-2-1996 在中国标准分类中归属于: L50 光电子器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.260 光电子学、激光设备。

JEDEC JESD35-2-1996 测定薄电介质的维夫-水平试验（Wafer-Level）测试准则.JESD35的No.2附录的最新版本是哪一版？

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本附录详细介绍了确定电压斜坡测试终点的替代方法并扩展了确定电流斜坡测试终点的范围，从而扩展了 JEDEC 标准 35 (JESD35) 的实用性。

标准号

JEDEC JESD35-2-1996

发布

1996年

发布单位

(美国)固态技术协会,隶属EIA

 

 

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