JEDEC JESD57-1996由(美国)固态技术协会,隶属EIA US-JEDEC 发布于 1996。
JEDEC JESD57-1996 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合,在国际标准分类中归属于: 31.080 半导体分立器件。
JEDEC JESD57-1996 重离子辐射中半导体设备的单粒子效应测量的测试规程的最新版本是哪一版?
JEDEC JESD57-1996已经是当前最新版本。
该测试方法定义了集成电路地基单粒子效应 (SEE) 测试的要求和程序。
地面模拟实验中离子临界射程一直是国内外单粒子效应加速器实验中的重要参数,尤其是近年来随着国内单粒子效应加速器模拟实验的大量开展,对该问题机理的研究迫在眉睫。国外的多个测试标准对离子临界射程的规定不一致,国内航天标准QJ 10005-2008指出,离子在硅中的射程要大于30 μm。 ...
它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度(例如pH值)改变,通过晶体管的电流将相应的改变。 ...
用于监测卫星轨道高度的高能电子、质子和重离子,实测这些粒子引起的辐射剂量效应、表面电位效应,并检验国产CPU在轨抗辐照能力,为空间天气业务、卫星的在轨安全保障和抗辐射设计服务,是继FY-3A星后,又一次在该轨道空间进行空间环境及其效应的大规模联合探测。...
适当增加屏蔽层厚度可对空间低能粒子起到一定的屏蔽作用,但对高能重离子和高能质子的屏蔽效果不明显。附件:辐射加固保证(RHA)等级RHA等级符号辐射总剂量/rad(Si)M3×103D104P3×104L5×104R105F3×105G5×105H106...
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