ASTM F1810-97
择优统计硅片侵蚀或表面缺陷的标准试验方法

Standard Test Method for Counting Preferentially Etched or Decorated Surface Defects in Silicon Wafers

被代替

标准号

ASTM F1810-97

发布

1997年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1810-97(2002)

当前最新

ASTM F1810-97(2002)

 

 

引用标准

ASTM F1241 ASTM F1725 ASTM F1726 ASTM F1727 ASTM F1809

适用范围

1.1 本测试方法描述了通过显微分析计算硅片表面缺陷密度的技术。注 1：缺陷计数方法的实际使用需要假设缺陷随机分布在表面上。如果不满足这一假设，则该测试方法的准确性和精密度将会降低。
1.2 本测试方法的应用仅限于硅样品表面具有离散的、可识别的伪影的样品。典型样品已根据 Guide F 1809 优先蚀刻或外延沉积，在硅层结构中形成缺陷。
1.3 此测试方法的晶圆厚度和直径仅受可用范围或显微镜台运动的限制。
1.4 本试验方法适用于缺陷密度为0.01～10000个缺陷/cm2的硅片。注 2：具有商业意义的缺陷密度范围为每平方厘米 0.01 至 10 个缺陷，但由于以更高的计数获得了改进的统计采样，因此该测试方法可扩展到更高的缺陷水平。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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