根据电介质物理学的半导电材料中导电和极化之间的竞争，原文中使用的重掺杂n ++ Si衬底是半导体，其可能产生的电容效应可以被视为有损电介质。因此，由于Si衬底的贡献，所测量的电容要小于BN膜的实际电容，导致a-BN薄膜在10 kHz–4 MHz频率下的介电常数被低估了。此外，如原文图3a所示，h-BN和a-BN薄膜的κ值在10 kHz–4 MHz频率范围内随频率显着降低，这与强介电弛豫相对应。...
而式中tgδ损耗角正切，ε0静电场下介电常数；ε∞光频率下的介电常数。由此见，ε、tgδ都是和松弛时间τ有关的物理量，因此也和分子的结构、大小、介质粘度有关，这就是利用介电性能研究物质分子结构的依据。由（a）(b)两式可以证明，当时，ε´有极大值，f0称“极化频率”。即当外电场频率为极化频率时，介电损耗极大。介电分析的应用比较广泛。...
而式中tgδ损耗角正切，ε0静电场下介电常数；ε∞光频率下的介电常数。由此见，ε、tgδ都是和松弛时间τ有关的物理量，因此也和分子的结构、大小、介质粘度有关，这就是利用介电性能研究物质分子结构的依据。由（a）(b)两式可以证明，当时，ε´有极大值，f0称“极化频率”。即当外电场频率为极化频率时，介电损耗极大。介电分析的应用比较广泛。...
图6 聚苯乙烯tg 随温度变化的曲线 影响因素：升温速率、样品厚度、有无覆金属层，夹具类型等 (5) 、动态介电分析(DETA) 动态介电分析是物质在一定频率的交变电场下并受一定受控温度程序加热时，测试物质的介电性能随温度变化的一种技术。 介电分析原理：具有偶极子的电介质，在外电场的作用下，将会随外电场定向排列。偶极子的极化和温度有关并伴随着能量的消耗。...
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