研究显示,局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后,仍可承受2 Mrad(Si)的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照,且综合抗辐射能力优于硅基器件四倍(图2)。上述成果证明,碳纳米管器件和电路具有超强的抗辐射能力,为下一代宇航芯片研制开辟了重要的技术路径。 ...
在轨运行时间要求器件抗总剂量能力长期(多于5年)大于100Krad(Si)中期(3至5年)10至100Krad(Si)短期(少于3年)小于10Krad(Si)按上表选择长期运行抗总剂量辐射的半导体器件,其抗辐射总剂量的能力应大于100krad(Si),当RDM取2时,则应选RHA为F等级的器件。当所选器件无RHA要求时,应进行辐射总剂量评估试验(RET)以摸清器件的抗总剂量辐射的能力。...
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