GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
GB/T 24581-2009 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- GB/T 24581-2009
- 发布日期
- 2009年10月30日
- 实施日期
- 2010年06月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- GB/T 1558 GB/T 6618 GB/T 13389 GB/T 14264 SEMI MF 1723 ASTM E131 ASTM E168 ASTM E177 ASTM E275
- 适用范围
- 本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10
～5.0×1O )a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。