GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities

GBT24581-2009, GB24581-2009

被代替

GB/T 24581-2009 发布历史

GB/T 24581-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施，于 2022-10-01 废止。

GB/T 24581-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法的最新版本是哪一版？

最新版本是 GB/T 24581-2022 。

GB/T 24581-2009 采用标准及采用方式

• IDT SEMI MF 1630-0704

GB/T 24581-2009 发布之时，引用了标准

• ASTM E131 分子光谱相关术语和符号的标准定义
• ASTM E168 制定关于污染场地概念场地模型的标准指南
• ASTM E177 进行室外噪声测量的测量方案的拟定用标准指南
• ASTM E275 说明和测量紫外线,可见和近红外线分光光度计的性能的标准操作规程
• GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程*， 2014-12-31 更新
• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 1558 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
• GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法

* 在 GB/T 24581-2009 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

GB/T 24581-2009的历代版本如下：

• 2022年 GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
• 2009年 GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法

本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10～5.0×1O)a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。

标准号

GB/T 24581-2009

别名

GBT24581-2009
GB24581-2009

发布

2009年

采用标准

SEMI MF 1630-0704 IDT

发布单位

国家质检总局

替代标准

GB/T 24581-2022

当前最新

GB/T 24581-2022

 

 

引用标准

ASTM E131 ASTM E168 ASTM E177 ASTM E275 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 1558 GB/T 6618 SEMI MF 1723

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