绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...
7.硒化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2842909024、3818009006、3825690006)。 8.锑化镓(包括但不限于多晶、单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2853909029、3818009007、3825690007)。 (二)锗相关物项。 ...
第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池,第三代太阳能电池就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池。CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强等优势,光电转换效率在各种薄膜太阳能电池中也名列前茅,已接近于晶体硅太阳能电池的转换效率,成本却是其1/3。...
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