GB/T 25188—2010《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》。序号标准项目名称涉及的标准主要完成单位主要完成人1ISO 19740:2018《光学和光子学 光学材料和零部件 红外光学材料均匀性测试方法》等3项标准1. ISO 19740:2018《光学和光子学 光学材料和零部件 红外光学材料均匀性测试方法》2....
表面效应,例如氧化层和污染层的形成,都会对所用硅球的质量和体积有明显的影响(表面层的质量总共有大约100微克)。通过结合X射线荧光光谱和光电子能谱,仅需一台仪器就可以确定球体表面的化学成分和质量沉积。这样,PTB就能以最高的精度表征表面。这套装置的核心部分是其样品操纵器,它与球体只会产生最小的接触(三点接触),并可以在球体表面上的任何点进行测量。该仪器配有单色Al X射线源。...
这其中一个原因是导电聚合物层的厚度相对较大(大于30 nm),远远超出了光电子能谱仪(XPS/UPS)所能达到的探测深度(约10 nm/3 nm),导致被导电聚合物薄层覆盖的硅基底上产生的光电子无法被检测到,进而无法提供界面处的电子结构信息。图2. 芯层能级-硅2p(Si2p)轨道的X射线光电子能谱(XPS)数据图。...
X射线光电子能谱是分析物质表面化学性质的一项技术。XPS可测量材料中元素组成、经验公式、元素化学态和电子态。用一束X射线激发固体表面,同时测量被分析材料表面1-10nm内发射出电子的动能,而得到XPS谱。光电子谱记录超过一定动能的电子。光电子谱中出现的谱峰为原子中一定特征能量电子的发射。光电子谱峰的能量和强度可用于定性和定量分析所有表面元素(氢元素除外)。...
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