ASTM F1892-12
半导体器件电离辐射 (总剂量) 效应试验的标准指南

Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices

被代替

ASTM F1892-12 发布历史

ASTM F1892-12由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2012。

ASTM F1892-12 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合。

ASTM F1892-12 半导体器件电离辐射 (总剂量) 效应试验的标准指南的最新版本是哪一版？

最新版本是 ASTM F1892-12(2018) 。

ASTM F1892-12 发布之时，引用了标准

• ASTM E1249 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践
• ASTM E1250 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法
• ASTM E170 有关辐射测量和剂量测定的标准术语
• ASTM E666 计算γ或X射线吸收剂量的标准实施规程
• ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践
• ASTM F1467 微电子装置的电离辐射效应试验中 X 射线测试仪(近似等于10 keV 辐射量子)的使用的标准指南
• ASTM F996 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
• ISO/ASTM 51275 放射性铬薄膜剂量测定系统使用规程

ASTM F1892-12的历代版本如下：

• 2018年 ASTM F1892-12(2018) 半导体器件电离辐射（总剂量）效应试验标准指南
• 2012年 ASTM F1892-12 半导体器件电离辐射 (总剂量) 效应试验的标准指南
• 2006年 ASTM F1892-06 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
• 2004年 ASTM F1892-04 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南
• 1998年 ASTM F1892-98 半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南

1.1 本指南介绍了建立适当的测试顺序和数据分析程序的背景和指南，以确定剂量率低于 300 rd(SiO2)/s 的微电子器件的电离辐射（总剂量）硬度。这些测试和分析将有助于确定被测设备满足特定硬度要求的能力，或评估在一系列辐射环境中使用的部件。

1.2 所提出的方法和指南将适用于硅基 MOS 和双极分立器件和集成电路的表征、鉴定和批量验收。它们适用于治疗电子和光子照射的影响。

1.3 本指南提供了一个框架，用于根据待测零件的一般特性以及这些零件的辐射硬度要求或目标来选择测试顺序。

1.4 本指南提供了最小化测试方法的保守性和最小化所需测试工作之间的权衡。

1.5 确定有效且经济的硬度测试通常需要多种决策。通常必须做出的决策的部分列举如下：

1.5.1 确定是否需要执行器件表征???对于某些情况，采用某种不需要的最坏情况测试方案可能更合适器件表征。对于其他情况，确定剂量率对设备辐射灵敏度的影响可能是最有效的。必要时，还必须确定这种特征的适当详细程度。

1.5.2 确定最小化辐照剂量率对测试结果影响的有效策略???某些类型设备的辐射测试结果对测试中施加的辐射剂量率相对不敏感。相比之下，许多 MOS 器件和一些双极器件对剂量率具有显着的敏感性。将讨论管理测试结果的剂量率敏感性的几种不同策略。

1.5.3 选择有效的测试方法???选择有效的测试方法将......

标准号

ASTM F1892-12

发布

2012年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1892-12(2018)

当前最新

ASTM F1892-12(2018)

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E1250 ASTM E170 ASTM E666 ASTM E668 ASTM F1467 ASTM F996 ISO/ASTM 51275 MIL-HDBK-814 MIL-STD-750 MIL-STD-883

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