GB/T 29332-2012由国家质检总局 CN-GB 发布于 2012-12-31,并于 2013-06-01 实施。
GB/T 29332-2012 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合,在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合,31.080.30 三极管。
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 29332-2012 。
* 在 GB/T 29332-2012 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
2、 晶体管①双极晶体管②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管...
)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等等。...
当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力的总和,相当于200毫米)。 功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
2013 年以来我国大部分地区雾霾天气频发,在这种背景下,大规模使用功率半导体来提高能源效率、促进节能减排,也成为半导体行业发展的重要方向。 半导体功率器件的产品门类非常广,主要包括功率MOS晶体管(Power MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD),以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。 ...
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