GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices.Discrete devices.Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)

GBT29332-2012, GB29332-2012


标准号
GB/T 29332-2012
别名
GBT29332-2012, GB29332-2012
发布
2012年
采用标准
IEC 60747-9:2007 IDT
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 29332-2012
 
 
引用标准
IEC 60747-1:2006 IEC 60747-2 IEC 60747-6 IEC 61340
适用范围
本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

GB/T 29332-2012相似标准


推荐

半导体器件有哪些分类

2、 晶体管①双极晶体管②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管...

半导体功率器件可靠性水基清洗分析

)、绝缘双极晶体管IGBT)等等。...

扩大功率半导体产能,全球再添一座12英寸晶圆厂

当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力的总和,相当于200毫米)。  功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT绝缘双极晶体管) 等器件的需求非常旺盛。  ...

节能核心技术获国家扶持 功率半导体产业进黄金发展期

2013 年以来我国大部分地区雾霾天气频发,在这种背景下,大规模使用功率半导体来提高能源效率、促进节能减排,也成为半导体行业发展的重要方向。   半导体功率器件的产品门类非常广,主要包括功率MOS晶体管(Power MOSFET)、绝缘双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD),以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。   ...

GB/T 29332-2012 中,所使用到的仪器:

 

天士立 功率器件安全工作区测试系统 ST-FBSOA_X

GB/T 29332-2012 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 29332-2012 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号