衍射峰位置的分析提供了各层相对于硅衬底的晶格参数的信息。衍射峰的宽度与薄膜厚度成反比,通过拟合干涉条纹,可测量SiGe层的厚度。...
半导体镀膜:光刻胶、氧化物、淡化层、绝缘体上硅、晶片背面研磨;液晶显示:间隙厚度、聚酰亚胺、ITO透明导电膜; 光学镀膜:硬涂层、抗反射层;微电子系统:光刻胶、硅系膜状物、印刷电路板; 生物医学:医疗设备、Parylene01半导体行业的应用:电子半导体材料制造,半导体级硅单晶生长、晶片切割、磨抛、清洗设备制造的企业和工厂。...
仪器测试原理:衬底与外延层因掺杂浓度不同而导致的不同折射率,红外光入射到外延层后,一部分从衬底表面反射回来,一部分从外延层表面反射出来,这两束光在一定条件下会产生干涉条纹,根据干涉条纹的数量、折射率以及红外光入射角可以计算出外延层的厚度d(原理示意图如下)。...
该工作获得国家优秀青年科学基金(61922082)等的经费支持,以及苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)在表征测试上的大力帮助。硅衬底上高结晶性黑磷薄膜成核与生长过程示意图及相应形貌、结构表征...
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