YS/T 839-2012由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2012-11-07,并于 2013-03-01 实施。
YS/T 839-2012 在中国标准分类中归属于: K15 电工绝缘材料及其制品,H68 贵金属及其合金,在国际标准分类中归属于: 77.120.99 其他有色金属及其合金。
YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 YS/T 839-2012 。
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用本方法。
衍射峰位置的分析提供了各层相对于硅衬底的晶格参数的信息。衍射峰的宽度与薄膜厚度成反比,通过拟合干涉条纹,可测量SiGe层的厚度。...
半导体镀膜:光刻胶、氧化物、淡化层、绝缘体上硅、晶片背面研磨;液晶显示:间隙厚度、聚酰亚胺、ITO透明导电膜; 光学镀膜:硬涂层、抗反射层;微电子系统:光刻胶、硅系膜状物、印刷电路板; 生物医学:医疗设备、Parylene01半导体行业的应用:电子半导体材料制造,半导体级硅单晶生长、晶片切割、磨抛、清洗设备制造的企业和工厂。...
仪器测试原理:衬底与外延层因掺杂浓度不同而导致的不同折射率,红外光入射到外延层后,一部分从衬底表面反射回来,一部分从外延层表面反射出来,这两束光在一定条件下会产生干涉条纹,根据干涉条纹的数量、折射率以及红外光入射角可以计算出外延层的厚度d(原理示意图如下)。...
该工作获得国家优秀青年科学基金(61922082)等的经费支持,以及苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)在表征测试上的大力帮助。硅衬底上高结晶性黑磷薄膜成核与生长过程示意图及相应形貌、结构表征...
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