GB/T 11297.7-1989
锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals
GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989
GB/T 11297.7-1989 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 11297.7-1989
- 别名
- GBT11297.7-1989
GB11297.7-1989 - 发布
- 1989年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 11297.7-1989
- 本方法适用于长方体和薄片锑化铟单晶样品的电阻率和霍耳系数的测量。 本方法所采用的样品是从锑化铟单晶中切割制备的，在特定位置上施加电极接触，用直流方法测量样品的电阻率和霍耳系数，而后计算该样品的载流子浓度和载流子迁移率。 本方法适用于电阻率10-3～102Ω·cm的锑化铟单晶样品。
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