锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法, 您可以免费下载预览页
而且由于铁在磷化铟中的分凝系数很小,InP 单晶锭沿生长轴方向表现出明显的掺杂梯度,顶部和底部的铁浓度相差一个数量级以上,由其切割成的单晶片的一致性和均匀性就很难保证。就切割成的单个 InP 晶片而言,由于受生长时的固液界面的影响,铁原子从晶片中心向外呈同心圆状分布,这显然也不能满足一些器件应用的需要。所有这些因素是目前制约半绝缘磷化铟单晶片生产质量的最大障碍。 ...
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