SJ/T 11493-2015
硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

Test method for measuring nitrogen concentration in silicon substrates by secondary ion mass spectrometry

SJ/T 11493-2015 发布历史

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度

SJ/T 11493-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-04-30，并于 2015-10-01 实施。

SJ/T 11493-2015 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ/T 11493-2015的历代版本如下：

• 2015年04月30日 SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法

标准号

SJ/T 11493-2015

发布日期

2015年04月30日

实施日期

2015年10月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H82

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。本标准适用于锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2% (1×10²⁰ at·cm^-3)的单晶样品,其中氮的浓度大于等于1×10¹⁴ at ? cm^-3。

SJ/T 11493-2015 中可能用到的仪器设备