ASTM E1250-15
评定硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能伽马成分的电离箱应用的标准试验方法

Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic Devices

被代替

ASTM E1250-15 发布历史

ASTM E1250-15由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2015。

ASTM E1250-15在国际标准分类中归属于: 31.020 电子元器件综合。

ASTM E1250-15 发布之时，引用了标准

• ASTM E1249 使用Co-60源的硅电子器件的辐射硬度测试中最小化剂量误差的标准实践
• ASTM E170 有关辐射测量和剂量测定的标准术语
• ASTM E668 用于确定电子设备辐射硬度测试中吸收剂量的热释光剂量法（TLD）系统的标准实践

ASTM E1250-15的历代版本如下：

• 2020年 ASTM E1250-15(2020) 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法
• 2015年 ASTM E1250-15 评定硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能伽马成分的电离箱应用的标准试验方法
• 2010年 ASTM E1250-10 电子元件应用评估硅电子器件辐射硬度测试中使用的钴-60型辐射器的低能伽马元件的标准测试方法
• 1988年 ASTM E1250-88(2005) 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法
• 1988年 ASTM E1250-88(2000) 硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法

1.17 和 1.33 MeV 的单能伽马射线，但源的有限厚度以及不可避免地存在于辐照器中的封装材料和其他周围结构可以贡献大量的低能伽马射线辐射，主要通过康普顿散射 (1, 2).3 在电子设备的辐射硬度测试中，伽马能谱的这种低能光子分量可能会给被测设备带来显着的剂量测定误差，因为平衡吸收剂量是通过由于吸收剂量增强效应，剂量计可能与被测设备中沉积的吸收剂量有很大不同 (3, 4)。吸收剂量增强效应是指异种材料边界附近的非平衡电子传输引起的与平衡吸收剂量的偏差。

4.2 本方法中描述的电离室技术提供了一种简单的方法来估计任何给定辐照器类型和配置的低能光子分量的重要性。

4.3 当特定辐照器配置中存在明显的低能光谱成分时，应使用特殊的实验技术来确保剂量测定充分代表被测设备中的吸收剂量。 （参见实践 E1249。） 1.1 Co-60 辐照器光子能谱中的低能成分导致硅电子器件辐射硬度测试中吸收剂量增强效应。这些低能量成分可能会导致确定特定被测设备吸收剂量时出现错误。该方法涵盖使用专门的电离室来确定此类效应的相对重要性的品质因数的程序。它还提供了组装该室的设计和说明。 1.2 本方法适用于照射率范围为78201;×8201;10 −6至38201;×8201;10−的Co-60辐射场的测量;2 C kg −1 s−1（大约 100 R/h 至 100 R/s）。有关将此方法应用于曝光率 > 100 R/s 的辐射场的指导，请参阅附录 X1。注 1：有关暴露及其单位的定义，请参阅术语 E170。

1.3 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。

1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的......

标准号

ASTM E1250-15

发布

2015年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM E1250-15(2020)

当前最新

ASTM E1250-15(2020)

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E170 ASTM E668

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