ISO 21820:2021
精细陶瓷(高级陶瓷,高级工业陶瓷).分析掺硼和掺氮SiC晶体的多类型的紫外光致发光图像试验方法

Fine ceramics (advanced ceramics, advanced technical ceramics) - Ultraviolet photoluminescence image test method for analysing polytypes of boron- and nitrogen-doped SiC crystals


ISO 21820:2021


标准号
ISO 21820:2021
发布
2021年
发布单位
国际标准化组织
当前最新
ISO 21820:2021
 
 
引用标准
ISO/IEC 17025
本文件规定了使用紫外光致发光(UVPL)成像确定碳化硅(SiC)晶片或块状晶体中的多型及其比率的测试方法。 SiC的范围仅限于掺杂有氮和硼的半导体SiC,分别具有深的受主能级和浅的施主能级。 本文讨论的 SiC 晶圆或块状晶体通常表现出 10−3 ohm·cm 至 10−2 ohm·cm 范围内的电阻率,适用于电力电子器件。 该方法适用于分别含有硼和氮作为...

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