ISO 21820:2021由国际标准化组织 IX-ISO 发布于 2021-02-00。
ISO 21820:2021在国际标准分类中归属于: 81.060.30 高级陶瓷。
本文件规定了使用紫外光致发光(UVPL)成像确定碳化硅(SiC)晶片或块状晶体中的多型及其比率的测试方法。 SiC的范围仅限于掺杂有氮和硼的半导体SiC,分别具有深的受主能级和浅的施主能级。 本文讨论的 SiC 晶圆或块状晶体通常表现出 10−3 ohm·cm 至 10−2 ohm·cm 范围内的电阻率,适用于电力电子器件。 该方法适用于分别含有硼和氮作为受体和供体的 SiC 晶体 4H、6H 和 15R 多型,其浓度可产生供体-受体对 (DAP) 以产生 UVPL。 在 4H-SiC 中,硼和氮的浓度通常在 1016 cm−3 到 1018 cm−3 之间。 半绝缘碳化硅无需担心,因为它通常含有极少量的硼和氮。 因此无法达到深层次。
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