EVG 810LT LowTemp™ 等离子激活系统

EVG 810LT LowTemp™等离子激活系统适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统

技术数据

EVG 810LT LowTemp™等离子激活系统是具有手动操作的单腔独立单元。处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。

特点

表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结），晶圆键合机制中最快的动力学，无需湿工艺，低温退火（最高400°C）下的最高粘结强度，适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板粘接，高度的材料兼容性（包括CMOS）。

EVG 810LT 技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子激活室工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）

真空系统：9x10-2mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar

基本压力符合LowTemp™等离子激活粘结的材料系统

Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/Si（热氧化）TEOS/TEOS（热氧化）绝缘体

锗（GeOI）的Si/Ge

硅/氮化硅

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

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