应用：

Ultra-shallow junction doping for sub-100nm CMOS
Conformal doping of non-planar CMOS and 其他电子装置 
多晶硅栅 & trench sidewall doping
Gate dielectric modification

样品尺寸: 4 ~ 8",  wafer (60 wafers/小时)
Dopant : P, As (N-type) / B (P-type) 
剂量 : 5】1010 ~ 2】1016cm-2 
能量范围 : 50eV ~ 10keV 
剂量控制 : 4 faraday cups
RF 功率 : 1kW @13.56MHz, 自动 matching控制
离子加速功率 : 负高压脉冲 DC (-50V ~ -10kV)
Load-lock 腔r : Stand-alone型 (多选 - 机械手型) 
极限压力 : 5*10-7Torr 
真空泵 : TMP + 旋转泵 (多选- Dry pump) 
过程控制 : 自动 (PC)