仪器简介：

应用：

-石墨烯 CVD
-硅纳米线生长
-碳纳米管 CVD
-SiC 外延生长

技术参数：

[ 石墨烯 Graphene CVD] 

卤素灯型加热源 
zei高温度： 1,000∩
石英管
极限压力 :  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 : 手动控制(option - PC自动控制)


[碳纳米管CVD]

卤素灯型加热源
zei高温度：1,000∩
石英管                                                                                                                                                                        ICP 型等离子源
RF 功率: 1kW @13.56MHz, 自动匹配控制
MTR 型 loadlock chamber 
极限压力 :  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 :  PC 自动控制


[ SiC 外延生长]

高频感应型加热源 
zei高温度： 2,400∩
石英管
Graphite susceptor
极限压力:  5*10-3Torr 
真空泵 : Rotary pump (option - Dry pump) 
过程控制 : PC 自动控制