仪器简介：
公司有多年半导体设备工艺和制造的经验，为客户提供稳定、高性价比的薄膜制备设备。

技术参数：
控制 PC(Lab View)
工艺腔直径 12x12钟罩、14x14x14金属腔
zei大平台尺寸 8 、10
磁控管数量 3
zei大磁控管直径 3
磁控板距离 8 、10
真空（Torr） E-6~E-7
平板冷却 25℃
zei大加热温度 300℃、500℃、700℃
直流电压 1000V,1A
射频电源 300-600W 13.5MHZ
直流偏压 500V <100khz
射频偏压 300W 13.5MHZ
等离子清洗 300W 13.5MHZ
厚度控制 程序控制


主要特点：
另外还可以提供磁控溅射和热蒸发双系统。