仪器简介：
电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…


技术参数：
蒸发室尺寸：24"×24"×21"；

极限真空度：≤5×10-7托；

电子枪功率： 6千瓦可调；

蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；

可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；

膜厚度误差 ≤±5%，膜厚均匀性误差 ≤±5% 。


主要特点：
1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）zei大限度的保证系统的安全。
2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中zei大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。
3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。
4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。