Centrotherm测温系统适用于从室温至高温的广泛区间。Centrotherm优化的多区温控系统结合可以独立控制的加热灯，提供了出色的控温精度和控温重复性。

此款设备配置手动装载系统，适用于研发以及小型的量产。

成熟的真空操作和气体管理系统为多种应用提供了可控的气体环境。出色的性能和高度的灵活性，结合小的占地面积，低的客户拥有成本，使c.RAPID 150成为一款最佳的手动RTP设备。

可在常压或者真空（控压）下工作

高度灵活性：适用于最大6寸的硅片或者可放置基片的6寸托盘

升温速率约150 K/s

出色的温度均匀性

精确的环境控制

高的设备可靠性

可以并排安装

退火：一般退火、接触层（Contact）退火、源/漏退火、势垒金属退火

硅化

氧化

掺杂活化

德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm RTP 150是一款高性能快速热工艺设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。

RTP 150型快速热反应设备，采用紧凑型的真空腔室设计满足多种工艺需要，是一款可用于生产和研发用的单晶圆工艺设备。

RTP 150型设备包括一个带集成压力学习控制压力范围在1mbar至50mbar的真空腔室。采用灯管加热系统提供了可调节的加热均匀性控制，采用了CENTROTHERM公司专利技术的温度控制系统。

RTP系统可用于6寸晶圆和5寸石墨基板的加热。可在15分钟内更换基板的尺寸和类型。

设备用于高性能、小占地面积、低成本高工艺灵活性的工艺场合。

设备特点：

压力可控的真空或大气环境下工作

高灵活性：最大6寸硅片或其他材料

温度范围：20℃~1150℃

不限时加热的工艺温度可达 750℃

升温速率可达150k/s（即150℃/秒）

每个加热灯管独立控制，极高的温度均匀性

±0.5℃温度一致性

长寿命加热灯管，低维护成本

典型应用：

金属接触退火

掺杂物活化

源极/漏极退火

干氧化

薄晶圆退火

设备参数：

应用：  生产或研发

基板材料： 硅片、GaAs、石墨、碳化硅、氮化镓、蓝宝石

晶圆尺寸： 最大6寸

加热系统： 24组加热灯，PWM控制

冷却水：  20 L/分钟

排  风：  250 m³/小时

可选件：

用于温度曲线调整的温度测量系统

用于全自动操作的双机械手臂