莎姆克RIE-200iP ICP ...
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特征

  • zei大可处理6英寸晶片

  • 搬送室设计允许使用氯系气体

  • 可调节晶片温度(氦气冷却)

  • zl龙卷风ICP电极

  • 多方排气系统可改善均匀度和效能

  • 可循环进行金属刻蚀

  • 工艺配方储存及数据资料记录

  • 小体积及全功能设计


尺寸

本体: 1000(W) x 1100(D) x 1604(H) mm

真空泵: 700(W) x 480(D) x 513(H) mm


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