莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机技术特点

【技术特点】-- 莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机

ICP刻蚀设备
莎姆克的RIE-200iP是专为研发及半量产目的设计的搬送室型设备。它备有莎姆克的zl龙卷风ICP电极，可产生稳定及高密度的等离子体，并达到高选择比、高精确度和优秀的均匀度。另外，RIE-200iP也具有莎姆克独创的多方排气系统可供应稳定均匀的气体至晶片。

用途

• VLSI装置的各种硅化膜的各向异性刻蚀

• GaAs、GaN、InP以及其他化合物半导体材料的刻蚀

• 高速装置的制造

• 功率半导体（MMIC、HEMT等）的制造

• 通信设备（SAW过滤器等）的制造

• 波导装置的制造

• 金属膜的刻蚀

特征

• zei大可处理6英寸晶片

• 搬送室设计允许使用氯系气体

• 可调节晶片温度（氦气冷却）

• zl龙卷风ICP电极

• 多方排气系统可改善均匀度和效能

• 可循环进行金属刻蚀

• 工艺配方储存及数据资料记录

• 小体积及全功能设计

尺寸

本体： 1000(W) x 1100(D) x 1604(H) mm

真空泵： 700(W) x 480(D) x 513(H) mm

【技术特点对用户带来的好处】-- 莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机

【典型应用举例】-- 莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机