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聚焦离子束在ITO表面缺陷的应用

2019.12.20
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guoliming

致力于为分析测试行业奉献终身

1. 引言

失效样品为手机显示屏,具体失效位置在前端IC位置,失效现象是ITO出现出现腐蚀导致显示异常,如下图所示,需具体分析失效的原因。

 

失效分析

图1.ITO表面缺陷SEM观察图

 

2. 试验与结果

 

失效分析失效分析
图2.失效位置截面观察图
失效分析失效分析
图3.正常位置截面观察图
失效分析
失效分析失效分析
图4.失效位置EDS测试谱图图
失效分析失效分析
图5.正常位置EDS测试谱图图

 

测试
位置
元素含量(wt%)
CONNaMgAlSiKCaMoInTotal
谱图1/37.61//1.0518.8627.541.235.048.68/100.0
谱图2/34.04//1.0118.5929.17/5.797.593.80100.0
谱图3/16.75///13.2012.97//52.283.80100.0

 

3. 结论

根据测试结果,对比OK和正常位置的成分,推断可能是ITO位置有Mg、K、Ga的盐类或碱污染,在使用过程中环境中的水分子在浓度梯度作用下渗透进ITO位置,形成导电溶液,在通电情况下形成电化学腐蚀造成的。


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