图15． 在－40度时，1M循环后写入误码率小于1 ppm。
图16． 热稳定性势垒Eb控制着数据保持能力的温度敏感度，在150℃（1ppm）下数据保留超过10年。
在基于自旋的STT－MRAM的许多应用中，磁场干扰是一个潜在的问题。该解决方案是在封装上沉积0．3mm厚的磁屏蔽层，如图16所示，实验表明在移动设备的商用无线充电器的磁场强度为3500Oe的情况下，暴露100小时的误码率可以从＞ 1E6 ppm降低到？1ppm。另外，在650 Oe的磁场下，在125°C下的数据保存时间超过10年。
图17．对3500 Oe磁场的灵敏度降低了1E6倍。
结论
22nm ULL 32Mb高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0．0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0．8mA ／ MHz ／ b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1．7 E－12 A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以＞ 1M个循环。它在260°C的IR回流下具有90秒的数据保留能力，在150°C的条件下可保存数据10年以上。产品规格如图18所示，裸片照片如图19所示。
图18． 22nm MRAM规格汇总表。
图19． 22nm CMOS工艺中的32Mb高密度MRAM裸片图。
编者注：图1TEM切片也是模糊的够可以的，有种动作片里打了马赛克的感觉。不过看切片一直都给人一种给少女脱衣服的快感。图1TEM中MRAM位置结构，好像其示意图并不对应。MTJ下方应该还有一个Bottom Via ，然后上方是一个比较厚的上电极再接一个Top via或者M4（如下图所示），而不是像示意图中所描绘的那样。
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