简介
为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入P型半导体材料,进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的探测效率，故一般采用锗（锂）漂移探测器。这种探测器的灵敏体积可大于200厘米3。但是,由于其死层较厚，故在探测较低能量的X射线时,往往采用硅（锂）漂移探测器。锂漂移型探测器的另一个特点，是当它被用来探测X及γ射线时必须保持在低温(77K)和真空中工作。
空间电荷分布、电场分布及电位分布
I区为完全补偿区，呈电中性为均匀电场；
I区为耗尽层，电阻率可达1010Ωcm；
I区厚度可达10～20mm，为灵敏体积。
首页
