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解决方案
原子层沉积(ALD)解决方案
量子技术
用于量子比特、量子电路和单光子探测器的超导材料
作为Josephson结隧穿势垒层的氧化物,如Al2O3和HfO2等
二维材料
GaN功率器件
生物医疗设备
ALD工艺腔室示意图
原子层刻蚀(ALE)解决方案
刻蚀表面光滑
高刻蚀选择比
低离子能量、低刻蚀损伤
精确的工艺控制以及精准的刻蚀深度
出色的均匀性
对刻蚀结构的深宽比依赖程度低
MEMS和传感器
光电子学
离散式功率器件
二维材料
III-V族刻蚀工艺
固态激光器的InP刻蚀
VCSEL的GaAs/AlGaAs刻蚀
RF器件的GaN低损伤刻蚀
硅-Bosch和低温刻蚀工艺
SiO2及石英刻蚀
相关产品
原子层沉积系统
可选配射频偏压电极,用于控制薄膜特性
标准化的腔对腔自动操作流程,以提升产率
在前驱体、工艺气体、硬件配置和增选项的选择上提供最大的灵活性
经工艺优化将基底维持在低损伤、高质量水平
低温工艺,以便在温度敏感表面上实现高质量沉积
Atomfab
Atomfab系统专门针对大批量制造而设计,为GaN功率器件和RF设备提供快速、低损伤、低拥有成本的等离子ALD工艺。
有竞争力的低拥有成本
维护快速、便捷
可选配群集式系统,实现高达200mm的晶圆处理能力
出色的薄膜均匀性
优异的材料质量
低基底损伤
原子层刻蚀系统
主要工艺
数字化/循环刻蚀工艺,类比ALD
低损伤
光滑的刻蚀表面
卓越的刻蚀深度控制
纳米级材料刻蚀的理想选择(如2D材料)
广泛的工艺和应用:
邮箱 Info.CHINA@oxinst.com