硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
虽然晶圆内一些单独存在且尺寸微小的缺陷不造成直接的晶圆性能问题,但是在某些制程中,比如快速退火(RTA等)、化学机械加工(CMP)、晶圆装卸移动中等,边缘处存在内部损伤的晶圆发生灾难性破裂的概率大幅增加,并导致生产设备的污染。也有研究表明,在一定条件的热处理时,晶圆边缘会产生滑移带,并向内延伸至晶圆的更大区域。这类缺陷也会造成后续光刻工艺位移、芯片性能下降、良率下降、严重时导致晶圆破裂等后果。...
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