ASTM F980-16
硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南
Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices
ASTM F980-16 发布历史
ASTM F980-16由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2016-12-01。
ASTM F980-16在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南的最新版本是哪一版？
最新版本是 ASTM F980-16(2024) 。
ASTM F980-16 发布之时，引用了标准
- ASTM E1854 电子部件的中子诱导取代损害的安全试验的标准操作规程
- ASTM E1855 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法
- ASTM E1894 选择脉冲X射线源用的剂量测定系统的标准指南
- ASTM E264 用镍的放射性测量快中子反应速率的标准试验方法
- ASTM E265 用硫-32的放射性测量快速中子流量密度和反应速率的测试方法
- ASTM E666 计算γ或X射线吸收剂量的标准实施规程
- ASTM E720 电子辐射强度试验中中子波谱测定用中子激活箔的选择和应用标准指南
- ASTM E721 电子辐射强度试验用中子激活箔测定中子能谱的标准指南
- ASTM E722 确定电子辐射强度试验用等效单能级中子注量的能级中中子能量注量能谱的特征
ASTM F980-16的历代版本如下：
- 2024年 ASTM F980-16(2024) 硅半导体器件中中子引起的位移损伤的快速退火测量的标准指南
- 2016年 ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南
- 2010年 ASTM F980-10e1 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火的标准指南
- 2010年 ASTM F980-10 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南
- 1992年 ASTM F980-92 硅半导体器件中子诱发位移损伤的快速退火测量指南
1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速退火效应的要求和程序。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损伤的快速退火通常与双极技术相关。
1.1.1 重离子束也可用于表征位移损伤退火 (1)2 ，但由于相关的电离剂量，离子束在解释所得器件行为时具有显着的复杂性。使用脉冲离子束作为位移损伤源不属于本标准的范围。
1.2 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前咨询并建立适当的安全和健康实践，并确定监管限制的适用性。
- 标准号
- ASTM F980-16
- 发布
- 2016年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F980-16(2024)
- 当前最新
- ASTM F980-16(2024)
- 引用标准
- ASTM E1854 ASTM E1855 ASTM E1894 ASTM E264 ASTM E265 ASTM E666 ASTM E720 ASTM E721 ASTM E722