SJ 2758-1987
同型外延层厚度的红外干涉测试方法
Method of measurement by infrared interference for thickness of homoepitaxial layers
2010-02
SJ 2758-1987 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- SJ 2758-1987
- 发布
- 1987年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 2758-1987
- 本标准适用子与衬底同型外延层厚度的测量，衬底和外延层室温电阻率应分别小于0.02Ω·cm和大于0.1Ω·cm，可测厚度大于2μm.
SJ 2758-1987相似标准
推荐
碳化硅外延层厚度及其均匀性的无损检测——红外显微系统
仪器测试原理：衬底与外延层因掺杂浓度不同而导致的不同折射率，红外光入射到外延层后，一部分从衬底表面反射回来，一部分从外延层表面反射出来，这两束光在一定条件下会产生干涉条纹，根据干涉条纹的数量、折射率以及红外光入射角可以计算出外延层的厚度d（原理示意图如下）。...
基于傅立叶变换红外光谱法的外延层厚度高精度无损分析
不知您是否为外延层厚度无损分析问题而困扰，在此我们介绍一种光学无损外延层厚度分析技术——傅立叶变换红外反射光谱法（FTIR）。 红外光谱法可用于测量半导体外延层厚度，无论硅基还是化合物半导体，且测量精度极高。此方法是基于红外光在层状结构中产生的光干涉效应的分析，结合基础的物理自洽拟合模型，充分利用所测得的光谱特征，拟合计算给出准确的层厚厚度值。...