T/CASAS 015-2022
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法
Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor（SiC MOSFET）
T/CASAS 015-2022 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- T/CASAS 015-2022
- 发布
- 2022年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 015-2022
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发展，越来越多的领域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高频等极端环境下工作的电子器件。SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复...
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