目前常用的碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管),其中碳化硅mosfet器件属于单级器件,开通关断速度较快,对栅极可靠性提出了更高的要求,而由于碳化硅材料的物理特性,导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多...
3、加码碳化硅,海外巨头抢占功率半导体新高地 根据 Yole 数据,CREE 公司占据全球 60%的 SiC 晶圆制造市场份额,英飞凌,CREE、意法半导体、安森美等功率半导体前十企业占据碳化硅功率器件 50%以上市场份额。国际上,住友电工、日立电线、古河机械金属和三菱化学等日本公司已可以出售标准2-3英寸HVPE制备的GaN衬底,具备4英寸衬底的小批量供应能力。...
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术的SiC CMOS电路更是受到了广泛的关注。...
SiC器件主要存在两个可靠性问题——栅极氧化物稳定性和阈值电压稳定性。栅极氧化物稳定性:与功率MOSFET类似,SiC器件也是垂直器件,使用与MOSFET相同的栅极氧化物材料(二氧化硅),但是SiC器件在更高的内部电场工作,因此栅极氧化物在实际工作中寿命可能缩短。目前SiC中的栅极氧化问题已经被理解,TDDB(时变电介质击穿)是时效机制,目前已经已经得到很大解决。...
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