目前常用的碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管),其中碳化硅mosfet器件属于单级器件,开通关断速度较快,对栅极可靠性提出了更高的要求,而由于碳化硅材料的物理特性,导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多...
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术的SiC CMOS电路更是受到了广泛的关注。...
四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类:1.按照控制特性分类不控型器件:即正向导通反向阻断,如常见的功率二极管;半控型器件:除了正负极,还有控制极,一旦开通无法通过控制极(栅极)关断,这类主要是指晶闸管(Thyristor)和它的派生器件;全控型器件:可通过栅极控制开关,常见的有双极结型晶体管(BJT)、栅极关断晶闸管(GTO)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET...
碳化硅(SiC)已成为工业电子领域最重要的宽禁带半导体之一,由于其高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优势,特别是对于功率半导体器件,碳化硅优于硅,更受青睐。成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二极管和MOSFETs(金属氧化物半导体场效应晶体管),这些器件已应用于铁路、工业逆变器、航空航天、可再生能源风力涡轮机或光伏发电,以及电动或混合动力汽车等领域。...
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