IEC 60747-4:2017
Semiconductor devices – Discrete devices – Part 4: Microwave diodes and transistors (Edition 2.1; Consolidated Reprint)
Dispositifs à semiconducteurs – Dispositifs discrets – Partie 4: Diodes et transistors hyperfréquences (Edition 2.1; Consolidated Reprint)
2017-02
- 标准号
- IEC 60747-4:2017
- 发布
- 2017年
- 发布单位
- IEC - International Electrotechnical Commission
- 替代标准
- IEC 60747-4:2007/AMD1:2017
- 当前最新
- IEC 60747-4:2007/AMD1:2017
- IEC 60747 的这一部分给出了以下类别的分立器件的要求： 可变电容二极管和折断二极管（用于调谐@上变频器或谐波乘法@开关@限制@相移@参量放大） 混频器二极管和检测器二极管 雪崩二极管（用于直接谐波生成@放大） 耿氏二极管（用于直接谐波生成） 双极晶体管（用于放大@振荡） 场效应晶体管（用于放大@振荡）
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