T/CASAS 013-2021
碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystal Combined KOH etching and image recognition methods
T/CASAS 013-2021 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- T/CASAS 013-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 013-2021
- 碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展，SiC单极型器件譬如肖特基二极管（SBD）及金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加。然而，...
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半导体专业术语含义
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