描述:在低密度、高性能的新体系Ti基难熔中熵合金研发中,通过表征变形行为来明确其强韧化机理。室温拉伸应变为10%时,合金中发现了位错通道。平面滑移位错与位错相互作用产生了位错通道壁,壁处位错的交割与Frank-Read位错源促使了位错的增殖与存储;另一方面位错通道间存在应力屏蔽的作用,螺位错可以在位错通道进行交滑移。...
195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和:氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。196. watt(W): 瓦。能量单位。197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去,用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向,也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。...
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