SAE J1752/3-2003
集成电路 TEM/宽带 TEM（GTEM）单元法的辐射发射测量； TEM 小室（150 kHz 至 1 GHz）、宽带 TEM 小室（150 kHz 至 8 GHz）
Measurement of Radiated Emissions from Integrated CircuitsTEM/Wideband TEM (GTEM) Cell Method; TEM Cell (150 kHz to 1 GHz), Wideband TEM Cell (150 kHz to 8 GHz)
SAE J1752/3-2003 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- SAE J1752/3-2003
- 发布
- 2003年
- 发布单位
- 美国机动车工程师协会
- 替代标准
- SAE J1752/3-2011
- 当前最新
- SAE J1752/3-2017
- 该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上，该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口（称为墙壁端口）上。测试板不像常规使用那样位于电池内，而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元；然而，测...
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YD/T 1690.2-2007 电信设备内部电磁发射诊断技术要求和测量方法（150kHz～1GHz）第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室方法
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