SAE J1752/3-2003由美国机动车工程师协会 US-SAE 发布于 2003-01-01。
SAE J1752/3-2003在国际标准分类中归属于: 33.100.10 发射,43.040.10 电气和电子设备。
SAE J1752/3-2003 集成电路 TEM/宽带 TEM(GTEM)单元法的辐射发射测量; TEM 小室(150 kHz 至 1 GHz)、宽带 TEM 小室(150 kHz 至 8 GHz)的最新版本是哪一版?
最新版本是 SAE J1752/3-2017 。
该测量程序定义了一种测量集成电路 (IC) 电磁辐射的方法。待评估的 IC 安装在 IC 测试印刷电路板 (PCB) 上,该印刷电路板夹在 TEM 或宽带 TEM (GTEM) 单元顶部或底部切割的配合端口(称为墙壁端口)上。测试板不像常规使用那样位于电池内,而是成为电池壁的一部分。该方法适用于任何经过改造以合并壁端口的 TEM 或 GTEM 单元;然而,测得的射频电压受到隔膜与测试板(墙)间距的影响。该程序是使用隔膜与壁间距为 45 mm 的 1 GHz TEM 单元和端口区域上隔膜与壁平均间距为 45 mm 的 GTEM 单元开发的。其他电池可能不会产生相同的光谱输出,但可用于比较测量,但受其频率和灵敏度限制。转换因子可以允许在具有不同隔膜与壁间距的 TEM 或 GTEM 单元上测量的数据之间进行比较。 IC 测试板控制操作 IC 相对于电池的几何形状和方向,并消除电池内的任何连接引线(这些引线位于电路板的背面,位于电池外部)。对于 TEM 池,50 Ω 端口之一端接 50 Ω 负载。 TEM 单元的另一个 50 端口或 GTEM 单元的单个 50 端口连接到频谱分析仪或接收器的输入,用于测量 IC 发出的 RF 发射并耦合到 TEM 单元的隔膜上。
16日从中国航天科工集团公司二院203所获悉,该所近日成功研制工作频率200MHz至40GHz的同心锥TEM(横电磁波传输)室。经测试,其电压驻波比和场均匀性等关键参数均满足设计指标,达到国际先进水平。此项宽带场强校准技术的突破,对于提高场强校准效率和降低测试成本意义重大。 据介绍,随着型号任务中使用的电子产品向着高频发展,用于测量辐射发射的场强探头工作频率大多数已达40GHz。...
预计III–V族元素不可能超过频率fT=850GHz的临界值(电流调制的上限频率)和最大振动频率fmax=1.2THz(功率调制上限),2021年后对于设备的需求将会更加迫切。最近已经有报道石墨烯的fT可以到达300GHz,当连接长度在100nm左右时也可以延伸至1THz。...
2)TEM小室方法:辐射场强度的测量应该在屏蔽室中进行,以消除来自电气设备和广播站的附加干扰。TEM 小室的工作如同屏蔽室一样。3)带状线法方法:带状线是开方式的波导,由一个接地平板和一个主导电体(隔板)构成,有特征阻抗。一般采用的特征阻抗值是50Ω和90Ω 。目前关于零部件/模块的辐射骚扰测量的常见方法主要是:ALSE方法、TEM小室方法、带状线法。...
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