半导体装置.依赖时间的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
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分类(来源:2007年版的《军用电子元器件合格产品目录》)电阻最可靠的元件之一失效模式:开路、机械损伤、接点损坏、短路、绝缘击穿、焊接点老化造成的电阻值漂移量超过容差电位器失效模式:接触不良、滑动噪声大、开路等二极管集成电路失效模式:漏电或短路,击穿特性劣变,正向压降劣变,开路可高阻失效机理:电迁移,热载流子效应,与时间相关的介质击穿(TDDB),表面氧化层缺陷,绝缘层缺陷,外延层缺陷声表面波器件MEMS...
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